9月20日，《中国经营报》记者获悉 ，长鑫存储在世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产。
据悉 ，G5平台依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺 ，将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米 。
G5平台工艺水平是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破 。
记者了解到 ，长鑫科技在本次大会上同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb ，较上一代同类型产品提升50% ，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机 、便携式消费电子等不同场景需求 ，近来 均已进入规模量产阶段。
（文章来源：中国经营报）
9月20日，《中国经营报》记者获悉，长鑫存储在世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产。 据悉 ，G5平台依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工...
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9月20日，《中国经营报》记者获悉，长鑫存储在世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产。 据悉 ，G5平台依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工...
9月20日，《中国经营报》记者获悉，长鑫存储在世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产。 据悉 ，G5平台依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工...
